
Laser à pulsation à l'état solide de 240W pour les applications de nettoyage de matériaux précis
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Quantité de commande min : | 1 | Prix : | USD100000 - USD192900 |
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Détails d'emballage : | Paquet d'expédition internationale | Délai de livraison : | 90 à 110 jours ouvrables |
Conditions de paiement : | T/T | Capacité d'approvisionnement : | 20PCS / 120 jours ouvrables |
Lieu d'origine: | Chine | Nom de marque: | JINSP |
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Certification: | CE ISO9001 | Numéro de modèle: | Le montant de l'aide est calculé en fonction de la valeur de l'aide. |
Détail Infomation |
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Longueur d'onde: | 532nm | Taux de répétition: | 1kHz | 5kHz |
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Largeur d'impulsion: | 50 ± 20 nm | stabilité de puissance: | <1> |
Qualité du faisceau: | m2<1.5 | Divergence de poutre: | 0.2 ± 0,05 (mrad) |
Mettre en évidence: | Laser à longue impulsion à haute performance en nanosecondes,Laser à longue impulsion de 532 nm.,Laser à haute performance Q commuté en nanosecondes |
Description de produit
Attribut | Valeur |
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Longueur d'onde | 532nm |
Taux de répétition | 1kHz ~ 5kHz |
Largeur d'impulsion | 50 ± 20nm |
Stabilité de la puissance | <1.5% |
Qualité du faisceau | M2<1.5 |
Divergence du faisceau | 0.2±0.05(mrad) |
La série JINSP LS1200 représente une collection de lasers à semi-conducteurs pompés par diode qui se situent dans la gamme de puissance moyenne à élevée, spécialisés dans la génération de sortie continue et pulsée. Ces lasers sont équipés d'un système de refroidissement par eau et utilisent une architecture de dalle avec du grenat d'yttrium aluminium dopé au néodyme (Nd: YAG) comme milieu actif. Conçue pour la polyvalence, la série JINSP LS1200 peut fonctionner indépendamment en tant que système laser complet ou servir de source de semence laser fondamentale qui peut être amplifiée davantage.
Code produit | LS1210 | LS1320 | ||||
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Longueur d'onde(nm) | 532 | |||||
Taux de répétition(kHz) | 1 | 3 | 5 | 1 | 3 | 5 |
Puissance moyenne (W) | 10 | 30 | 37 | 40 | 120 | 150 |
Puissance de crête (MW) | 0.17 | 0.14 | 0.1 | 0.67 | 0.57 | 0.39 |
Énergie d'impulsion unique(mJ) | 10 | 10 | 7.4 | 40 | 40 | 30 |
Largeur d'impulsion (ns) | 50 ± 20 | |||||
Taille du faisceau en champ proche | ~5 (nm) | |||||
Divergence du faisceau | 0.2±0.05(mrad) | |||||
Qualité du faisceau M2< | 1.5 | 1.8 | ||||
Largeur de raie | 40 (GHz) | |||||
Polarisation | Linéaire | |||||
Temps de préchauffage | ~10 (min) |
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